二氧化锡:优化电阻器的脉冲稳定性
二氧化锡是n型半导体,呈白色细分散的粉末,是一种优秀的透明导电材料,在电阻器、气敏件、液晶显示、光探测器、太阳能电池、光催化、电催化、保护涂层等领域都具有广阔的应用前景,也是第一个投入商用的透明导电材料,工业上为提高其导电性和稳定性,常进行掺杂使用,例如掺杂有Sb,V和Ni等元素能使导电性剧烈增加。以二氧化锡为基质的陶瓷材料,不仅具有良好的导电性和高密度,而且具有耐高温、高温重软化点和优良的抗腐蚀性,因此可以作为高温加热的电极材料如坩埚、热电偶保护套和化工设备的衬里等。
- SnO2陶瓷的热膨胀系数小(为氧化铝陶瓷的1/2),导热系数高,热稳定性比氧化铝陶瓷、氧化锆陶瓷都高。SnO2陶瓷在1400℃下挥发率较低,在1500℃以上挥发强烈,因此,SnO2陶瓷只能在氧气氛中于1500℃以下使用。
- 纯SnO2陶瓷常温比电阻是10*10~10*11Ω·㎝。但添加二价或三价金属氧化物后,会降低其比电阻。例如加入Sb2O3和CuO后,SnO2的比电阻降低7~8个数量级。
- SnO2陶瓷抵抗玻璃液的侵蚀能力强。在1200℃时,SnO2陶瓷电极对钙玻璃耐侵蚀能力比电熔刚玉高1~2倍。在1500℃时耐碱侵蚀能力比电熔刚玉高4倍。它还耐铅玻璃、砷玻璃、铁玻璃、铜玻璃的侵蚀。
氧化锡陶瓷通常采用SnO2来制得,且SnO2含量约为96%~98%。制备坯料时,必须加入一些添加物。根据对产品性能要求的不同,添加剂分为两类。一类是促进烧结的添加剂,这类添加剂有金、银、铜、铁、镍、锌等金属氧化物。另一种是降低电阻的添加剂,主要有砷、锑、铜、铀、锶、铌等的氧化物。加入量是依产品的性能要求而定,一般为0.5%~2%(质量)。耐火温度不低于1900℃,它由标准光学常数尺寸为3~8μm等轴二氧化锡颗粒组成。成型普遍采用干压或注浆法。氧化锡陶瓷通常在氧化气氛、1450~1500℃温度下烧成。周围介质气氛对SnO2陶瓷的导电率有影响。当氧分压较高时,氧分子会进入固相的点阵中,产生P型电子导电;当氧分压较低时,例如在还原气氛中,晶体点阵缺氧,则产生n型电子导电。一般情况下,SnO2以离子导电为主。